MOSFET Infineon canal N, A-220 4 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Type de boîtier
TO-220
Série
CoolMOS™ C3
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1.3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
63 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.36mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Taille
15.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 3,59
€ 1,793 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Single
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Taille
15.95mm
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