MOSFET Infineon canal P, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11.3 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
SIPMOS®
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
128 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
47 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
15.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®
Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
· Conforme AEC Q101 (veuillez vous référer à la fiche technique)
· Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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P
Courant continu de Drain maximum
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Tension Drain Source maximum
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Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
128 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
47 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
15.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
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Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®
Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
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