Transistor MOSFET International Rectifier canal N, A-220 280 A 40 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
280 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
330 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
160 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.67mm
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Séries
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.02mm
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Prix sur demande
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.67mm
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