Transistor MOSFET International Rectifier canal N, TO-220AB 57 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
57 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
23 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
130 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.54mm
Largeur
4.69mm
Série
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
8.77mm
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Prix sur demande
1
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N
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Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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1
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
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