Transistor MOSFET International Rectifier canal P, TO-220AB 74 A 55 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
P
Courant continu de Drain maximum
74 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Type de boîtier
TO-220AB, TO-220FL
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
180 nF @ 10 V
Séries
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
8.77mm
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Prix sur demande
1
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P
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55 V
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Through Hole
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
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Charge de Grille type @ Vgs
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