Transistor MOSFET Infineon canal N, SOIC 11 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
14 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,2 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Séries
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.5mm
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
14 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,2 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
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