Transistor MOSFET International Rectifier canal N, SOT-23 1,2 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.2 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
540 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
3,3 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Largeur
1.4mm
Série
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.02mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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N
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1.2 A
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Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
540 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
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