Transistor MOSFET International Rectifier canal N, TO-220AB 47 A 55 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
47 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Séries
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
8.77mm
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Prix sur demande
1
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N
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55 V
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Through Hole
Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
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