MOSFET IXYS canal N, D2PAK (TO-263) 22 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
22 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
HiperFET, X2-Class
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
145 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
390 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
11.05mm
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
37 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Taille
4.83mm
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ X2
La série HiPerFET X2 de transistor MOSFET de puissance d'IXYS offre une résistance et une charge de grille extrêmement réduites par rapport aux générations précédentes de MOSFET de puissance, entraînant une réduction des pertes et une plus grande efficacité opérationnelle. Ces dispositifs robustes intègrent une diode intrinsèque haute vitesse améliorée et sont adaptés à la fois aux applications de commutation difficile et de mode de résonance. Les transistors MOSFET de classe X2 sont disponibles dans de nombreux boîtiers standards, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 120 A à 650 V. Les applications typiques incluent les convertisseurs c.c.-c.c., les drivers de moteurs c.a. et c.c., les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c., les inverseurs solaires et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Très faibles RDS(on) et QG (charge de grille)
Diode de redressement intrinsèque rapide
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier à faible inductance
Boîtier standard
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 156,85
€ 3,137 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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N
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Série
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
145 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
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Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
11.05mm
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
37 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Taille
4.83mm
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ X2
La série HiPerFET X2 de transistor MOSFET de puissance d'IXYS offre une résistance et une charge de grille extrêmement réduites par rapport aux générations précédentes de MOSFET de puissance, entraînant une réduction des pertes et une plus grande efficacité opérationnelle. Ces dispositifs robustes intègrent une diode intrinsèque haute vitesse améliorée et sont adaptés à la fois aux applications de commutation difficile et de mode de résonance. Les transistors MOSFET de classe X2 sont disponibles dans de nombreux boîtiers standards, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 120 A à 650 V. Les applications typiques incluent les convertisseurs c.c.-c.c., les drivers de moteurs c.a. et c.c., les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c., les inverseurs solaires et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Très faibles RDS(on) et QG (charge de grille)
Diode de redressement intrinsèque rapide
Grille à faible résistance intrinsèque
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