MOSFET IXYS canal N, D2PAK (TO-263) 22 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
22 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
HiperFET, X2-Class
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
145 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
390 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
11.05mm
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
37 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Taille
4.83mm
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ X2
La série HiPerFET X2 de transistor MOSFET de puissance d'IXYS offre une résistance et une charge de grille extrêmement réduites par rapport aux générations précédentes de MOSFET de puissance, entraînant une réduction des pertes et une plus grande efficacité opérationnelle. Ces dispositifs robustes intègrent une diode intrinsèque haute vitesse améliorée et sont adaptés à la fois aux applications de commutation difficile et de mode de résonance. Les transistors MOSFET de classe X2 sont disponibles dans de nombreux boîtiers standards, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 120 A à 650 V. Les applications typiques incluent les convertisseurs c.c.-c.c., les drivers de moteurs c.a. et c.c., les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c., les inverseurs solaires et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Très faibles RDS(on) et QG (charge de grille)
Diode de redressement intrinsèque rapide
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier à faible inductance
Boîtier standard
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 156,85
€ 3,137 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 156,85
€ 3,137 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
22 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
HiperFET, X2-Class
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
145 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
390 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
11.05mm
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
37 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Taille
4.83mm
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ X2
La série HiPerFET X2 de transistor MOSFET de puissance d'IXYS offre une résistance et une charge de grille extrêmement réduites par rapport aux générations précédentes de MOSFET de puissance, entraînant une réduction des pertes et une plus grande efficacité opérationnelle. Ces dispositifs robustes intègrent une diode intrinsèque haute vitesse améliorée et sont adaptés à la fois aux applications de commutation difficile et de mode de résonance. Les transistors MOSFET de classe X2 sont disponibles dans de nombreux boîtiers standards, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 120 A à 650 V. Les applications typiques incluent les convertisseurs c.c.-c.c., les drivers de moteurs c.a. et c.c., les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c., les inverseurs solaires et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Très faibles RDS(on) et QG (charge de grille)
Diode de redressement intrinsèque rapide
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier à faible inductance
Boîtier standard
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.