MOSFET IXYS canal N, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Séries
HiperFET, Polar
Type d'emballage
TO-247AD
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
16 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
600 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.3mm
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
150 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
21.46mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 186,30
€ 6,21 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Tension de seuil maximale de la grille
5V
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Single
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±20 V
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Largeur
5.3mm
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
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