MOSFET IXYS canal N, A-247 15 A 1000 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
15 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Séries
HiperFET, Q-Class
Type d'emballage
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,05 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
6.5V
Dissipation de puissance maximum
690 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
16.26mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
64 nC @ 10 V
Taille
16.26mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3
Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de résonance. Ils offrent une faible charge de grille et une robustesse exceptionnelle. Les circuits sont dotés d'une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans de nombreux boîtiers standard, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs CC/CC, les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c. et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Diode de redressement intrinsèque rapide
Faible RDS(on) et QG (charge de grille)
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier standard
Boîtier à faible inductance
Puissance élevée et encombrement réduit.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 399,26
€ 13,309 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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N
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Through Hole
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3
Résistance Drain Source maximum
1,05 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
6.5V
Dissipation de puissance maximum
690 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
16.26mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
64 nC @ 10 V
Taille
16.26mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3
Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de résonance. Ils offrent une faible charge de grille et une robustesse exceptionnelle. Les circuits sont dotés d'une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans de nombreux boîtiers standard, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs CC/CC, les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c. et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Diode de redressement intrinsèque rapide
Faible RDS(on) et QG (charge de grille)
Grille à faible résistance intrinsèque
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