MOSFET IXYS canal N, A-247 170 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
170 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
HiperFET, Polar
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
714 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
198 nC V @ 10
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.26mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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5V
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Largeur
5.3mm
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Si
Nombre d'éléments par circuit
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Longueur
16.26mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
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