MOSFET IXYS canal N, A-247 69 A 300 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
69 A
Tension Drain Source maximum
300 V
Type de boîtier
TO-247
Séries
HiperFET, Polar
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
49 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
500000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.26mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
156 nC @ 10 V
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Taille
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 11,58
€ 11,58 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 11,58
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 11,58 |
| 10+ | € 10,09 |
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
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500000 mW
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Single
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1
Longueur
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Taille
21.46mm
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