MOSFET IXYS canal N, A-247 88 A 300 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
88 A
Tension Drain Source maximum
300 V
Série
HiperFET, Polar
Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
600 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
180 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 393,62
€ 13,121 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 13,121 | € 393,62 |
| 150 - 270 | € 12,465 | € 373,94 |
| 300+ | € 11,835 | € 355,04 |
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N
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88 A
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Série
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Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
600 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
180 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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