MOSFET IXYS canal N, A-247 96 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
96 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Série
HiperFET, Polar
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
600 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
145 nC @ 10 V
Largeur
5.3mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.26mm
Taille
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 5,70
€ 5,70 Each (hors TVA)
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 5,70 |
| 5 - 19 | € 5,46 |
| 20 - 49 | € 5,32 |
| 50 - 99 | € 5,18 |
| 100+ | € 5,05 |
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N
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96 A
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Série
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TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
600 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
145 nC @ 10 V
Largeur
5.3mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.26mm
Taille
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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