MOSFET IXYS canal N, A-247 96 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
96 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
TO-247
Séries
HiperFET, Polar
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
600 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
16.26mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
145 nC @ 10 V
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 6,33
€ 6,33 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 6,33
€ 6,33 Each (hors TVA)
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 6,33 |
| 5 - 19 | € 6,07 |
| 20 - 49 | € 5,91 |
| 50 - 99 | € 5,76 |
| 100+ | € 5,61 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
96 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
TO-247
Séries
HiperFET, Polar
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
600 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
16.26mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
145 nC @ 10 V
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.