MOSFET IXYS canal N, TO-264AA 27 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
27 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Série
HiperFET, Q-Class
Type de conditionnement
TO-264AA
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
320 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Dissipation de puissance maximum
500000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.13mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
19.96mm
Charge de Grille type @ Vgs
170 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
26.16mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 690,90
€ 27,636 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
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Single
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±20 V
Largeur
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Si
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Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
26.16mm
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