MOSFET IXYS canal N, SOT-227 86 A 300 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
86 A
Tension Drain Source maximum
300 V
Série
HiperFET, Polar
Type de conditionnement
SOT-227
Type de fixation
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
570 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
224 nC @ 10 V
Largeur
25.42mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
38.23mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.6mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 26,59
€ 26,59 Each (hors TVA)
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 26,59 |
| 2 - 4 | € 25,27 |
| 5+ | € 23,94 |
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Si
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Longueur
38.23mm
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Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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