MOSFET Transistor & Diode IXYS canal N, SOT-227B 150 A 150 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
150 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Type de conditionnement
SOT-227B
Type de fixation
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
13 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
600 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
360 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
38.2mm
Largeur
25.07mm
Série
HiperFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.6mm
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Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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4
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
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Température d'utilisation maximum
150 °C
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