MOSFET IXYS canal N, SOT-227 72 A 600 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
72 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
SOT-227
Série
HiperFET, Polar
Type de fixation
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
1.04 kW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
38.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
240 nC @ 10 V
Largeur
25.07mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.6mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 43,85
€ 43,85 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 43,85 |
| 2 - 4 | € 42,54 |
| 5+ | € 41,66 |
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
1.04 kW
Configuration du transistor
Single
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1
Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
25.07mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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