MOSFET IXYS canal N, A-220 7 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Série
HiperFET, Polar
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.44 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.83mm
Longueur
10.66mm
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.15mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 159,42
€ 3,188 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Single
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Si
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Largeur
4.83mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Température de fonctionnement minimum
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Taille
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