MOSFET IXYS canal N, A-247 110 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Série
Trench
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
694 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.3mm
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
157 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
21.46mm
Détails du produit
MOSFET de puissance canal N Trench-Gate, IXYS
Technologie MOSFET Trench Gate
Faible résistance à l'état passant RDS(on)
Excellente robustesse à l'avalanche
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 178,99
€ 5,966 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 178,99
€ 5,966 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Série
Trench
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
694 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.3mm
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
157 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
21.46mm
Détails du produit
MOSFET de puissance canal N Trench-Gate, IXYS
Technologie MOSFET Trench Gate
Faible résistance à l'état passant RDS(on)
Excellente robustesse à l'avalanche
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.