MOSFET IXYS canal N, SOT-227 178 A 100 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
178 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-227
Série
Linear L2
Type de montage
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
11 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
830 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
25.07mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
38.23mm
Charge de Grille type @ Vgs
540 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Taille
9.6mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
MOSFET de puissance canal N, série IXYS Linear
MOSFET de puissance canal N conçus spécifiquement pour un fonctionnement linéaire. Circuits avec FBSOA (Forward Bias Safe Operating Area) étendue, pour une solidité et une fiabilité accrues.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 463,13
€ 46,313 Each (In a Tube of 10) (hors TVA)
10
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Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
38.23mm
Charge de Grille type @ Vgs
540 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Taille
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MOSFET de puissance canal N conçus spécifiquement pour un fonctionnement linéaire. Circuits avec FBSOA (Forward Bias Safe Operating Area) étendue, pour une solidité et une fiabilité accrues.
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