MOSFET IXYS canal N, SOT-227 22 A 1000 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
22 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Série
Linear
Type de conditionnement
SOT-227
Type de fixation
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.5V
Dissipation de puissance maximum
700 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
25.07mm
Longueur
38.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
270 nC @ 15 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.6mm
Pays d'origine
United States
Détails du produit
MOSFET de puissance canal N, série IXYS Linear
MOSFET de puissance canal N conçus spécifiquement pour un fonctionnement linéaire. Circuits avec FBSOA (Forward Bias Safe Operating Area) étendue, pour une solidité et une fiabilité accrues.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 512,69
€ 51,269 Each (In a Tube of 10) (hors TVA)
10
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Single
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Largeur
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
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