MOSFET IXYS canal N, SMPD 550 A 55 V, 24 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
550 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Séries
GigaMOS, HiperFET
Type de conditionnement
SMPD
Type de montage
CMS
Nombre de broche
24
Résistance Drain Source maximum
1.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.8V
Dissipation de puissance maximum
830 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
23.25mm
Longueur
25.25mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
595 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
5.7mm
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ GigaMOS™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 797,07
€ 39,853 Each (In a Tube of 20) (hors TVA)
20
€ 797,07
€ 39,853 Each (In a Tube of 20) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
550 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Séries
GigaMOS, HiperFET
Type de conditionnement
SMPD
Type de montage
CMS
Nombre de broche
24
Résistance Drain Source maximum
1.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.8V
Dissipation de puissance maximum
830 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
23.25mm
Longueur
25.25mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
595 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
5.7mm
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ GigaMOS™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.