MOSFET MagnaChip canal N, A-220 11 A 660 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
MagnaChipType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
660 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
550 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
182 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
38,4 nC @ 10 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Hauteur
16.51mm
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit
Transistor MOSFET haute tension (HV)
Transistor MOSFET à canal N haute tension, avec faible résistance à l'état passant et performances de commutation élevées.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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Prix sur demande
Each (In a Tube of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Nombre de broche
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
182 W
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1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Hauteur
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