MOSFET MagnaChip canal N, SOIC 17 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
MagnaChipType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
14,9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
5,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.9mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET basse tension (LV)
Ces transistors MOSFET basse tension (LV) fournissent une faible résistance à l'état passant et des performances de commutation rapides.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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SOIC W
Type de montage
CMS
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
5,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.9mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
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