Documents techniques
Spécifications
Brand
MicrochipType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
230 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.06mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.08mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
5.33mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Détails du produit
Transistors MOSFET canal N 2N7008
Le 2N7008 de Microchip est un transistor à mode d'enrichissement (normalement fermé) qui utilise une structure verticale DMOS. La conception combine les capacités de gestion de la puissance d'un transistor bipolaire avec l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif des circuits MOS.
Caractéristiques
Libre de toute panne secondaire
Faible puissance d'entraînement requise
Fonctionnement parallèle aisé
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés
MOSFET Transistors, Microchip
€ 13,38
€ 0,535 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 13,38
€ 0,535 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,535 | € 13,38 |
100+ | € 0,486 | € 12,16 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
MicrochipType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
230 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.06mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.08mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
5.33mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Détails du produit
Transistors MOSFET canal N 2N7008
Le 2N7008 de Microchip est un transistor à mode d'enrichissement (normalement fermé) qui utilise une structure verticale DMOS. La conception combine les capacités de gestion de la puissance d'un transistor bipolaire avec l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif des circuits MOS.
Caractéristiques
Libre de toute panne secondaire
Faible puissance d'entraînement requise
Fonctionnement parallèle aisé
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés