Réseaux MOSFET 1 canal Canal P, Canal N Paire complémentaire Microchip 2 A 200 V Enrichissement, 8 broches, VDFN TC6320

Les transistors MOSFET à canal N et à canal P haute tension et faible seuil de Microchip dans des boîtiers VDFN et SOIC à 8 fils sont dotés de résistances de porte à source intégrées et de pinces à diode Zener de porte à source, ce qui les rend idéales pour les applications à impulsion haute tension. Cette paire de transistors MOSFET à canal N et à canal P complémentaires, haute vitesse, haute tension, à serrage de grille utilise une structure DMOS verticale avancée et un processus de fabrication de grille en silicium éprouvé. La combinaison offre les capacités de gestion de l'alimentation des transistors bipolaires ainsi que l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif typiques des dispositifs MOS. Comme pour toutes les structures MOS, ces dispositifs sont exempts de fuite thermique et de défaillance secondaire induite thermiquement.

• Faible seuil
• Faible résistance à l'état passant
• Faible capacité d'entrée
• Vitesses de commutation rapide
• Absence de claquage secondaire
• Faibles fuites à l'entrée et à la sortie