Documents techniques
Spécifications
Brand
MicrochipType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Largeur
4.06mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.08mm
Série
VN2106
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
5.33mm
Tension directe de la diode
1.8V
Pays d'origine
United States
Prix sur demande
Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
1000
Prix sur demande
Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
MicrochipType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Largeur
4.06mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.08mm
Série
VN2106
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
5.33mm
Tension directe de la diode
1.8V
Pays d'origine
United States


