Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 81,83
€ 0,027 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 81,83
€ 0,027 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,027 | € 81,83 |
| 6000 - 12000 | € 0,027 | € 81,83 |
| 15000 - 27000 | € 0,025 | € 75,01 |
| 30000 - 57000 | € 0,025 | € 75,01 |
| 60000+ | € 0,024 | € 71,60 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit


