MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 300 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 4,44
€ 0,03 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
150
€ 4,44
€ 0,03 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
150
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 150 - 725 | € 0,03 | € 0,74 |
| 750 - 1475 | € 0,029 | € 0,72 |
| 1500+ | € 0,028 | € 0,71 |
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-60 V
Type de conditionnement
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Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
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