Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
310 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-323
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,5 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 32,50
€ 0,163 Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Standard
200
€ 32,50
€ 0,163 Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
200
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
310 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-323
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,5 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit


