MOSFET Nexperia canal N, SOT-363 320 mA 60 V, 6 broches

N° de stock RS: 781-6708PMarque: NexperiaN° de pièce Mfr: 2N7002PS,115
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Nexperia

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

320 mA

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

SOT-363

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

2 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.4V

Tension de seuil minimale de la grille

1.1V

Dissipation de puissance maximum

420 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

0,6 nC @ 2,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Malaysia

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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€ 6,59

€ 0,066 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Nexperia canal N, SOT-363 320 mA 60 V, 6 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 50.

Production -

Disponible en multiples de 50.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

100

Disponible en multiples de 50
100€ 6,59
150€ 9,89
200€ 13,18
250€ 15,63
300€ 18,75
350€ 21,88
400€ 25,00
450€ 28,13
500€ 29,55
550€ 32,50
600€ 35,46
650€ 38,41
700€ 41,37
750€ 44,32
800€ 47,28

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
100 - 200€ 0,066€ 3,30
250 - 450€ 0,063€ 3,12
500 - 950€ 0,059€ 2,96
1000+€ 0,051€ 2,56

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N

Courant continu de Drain maximum

320 mA

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SOT-363

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CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

2 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.4V

Tension de seuil minimale de la grille

1.1V

Dissipation de puissance maximum

420 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

0,6 nC @ 2,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1mm

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