MOSFET Nexperia canal N, SOT-323 310 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
310 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-323
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
260 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 2,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 90,00
€ 0,03 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | € 0,03 | € 90,00 |
| 9000+ | € 0,029 | € 85,57 |
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
260 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 2,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
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