MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 (TO-236AB) 850 mA 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
850 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
4,6 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
20
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Largeur
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Si
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