Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Type de conditionnement
SOT-323 (SC-70)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.3V
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
1 nC @ 8 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
Hong Kong
Détails du produit
MOSFET N-Channel, 40 V à 55 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Prix sur demande
Each (On a Reel of 10000) (hors TVA)
10000
Prix sur demande
Each (On a Reel of 10000) (hors TVA)
10000
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Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Type de conditionnement
SOT-323 (SC-70)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.3V
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
1 nC @ 8 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
Hong Kong
Détails du produit