MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 470 mA 30 V, 3 broches

N° de stock RS: 725-8366PMarque: NexperiaN° de pièce Mfr: BSH203,215
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Nexperia

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

470 mA

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

900 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

0.68V

Tension de seuil minimale de la grille

0.4V

Dissipation de puissance maximum

417 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +8 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

2,2 nC @ 4,5 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3mm

Hauteur

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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€ 6,50

€ 0,163 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 470 mA 30 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Disponible en multiples de 20.

Production -

Disponible en multiples de 20.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

40

Disponible en multiples de 20
40€ 6,50
60€ 9,75
80€ 13,00
100€ 14,43
120€ 17,32
140€ 20,21
160€ 23,09
180€ 25,98
200€ 28,87
220€ 31,75
240€ 34,64
260€ 37,53
280€ 40,41
300€ 43,30
320€ 46,19

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
40 - 80€ 0,163€ 3,25
100+€ 0,144€ 2,89

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P

Courant continu de Drain maximum

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Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

900 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

0.68V

Tension de seuil minimale de la grille

0.4V

Dissipation de puissance maximum

417 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +8 V

Température d'utilisation maximum

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Charge de Grille type @ Vgs

2,2 nC @ 4,5 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

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