MOSFET Nexperia canal N, SOT-223 550 mA 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
550 mA
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.7mm
Largeur
3.7mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
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CMS
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3
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2V
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Single
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Température d'utilisation maximum
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Longueur
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