Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0,375 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type d'emballage
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.7mm
Hauteur
1.7mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 4,33
€ 0,433 Each (On a Reel of 10) (hors TVA)
Standard
10
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NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0,375 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type d'emballage
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.7mm
Hauteur
1.7mm
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