Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0,375 A
Tension Drain Source maximum
240 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.7mm
Longueur
6.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.7mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 44,44
€ 0,444 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 44,44
€ 0,444 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0,375 A
Tension Drain Source maximum
240 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.7mm
Longueur
6.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.7mm
Pays d'origine
China
Détails du produit


