Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
150 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.8V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 5,63
€ 0,056 Each (On a Reel of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 5,63
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Standard
100
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Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
150 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.8V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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