MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 150 mA 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 792-0885PMarque: NexperiaN° de pièce Mfr: BSS123
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Nexperia

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

150 mA

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de conditionnement

TO-236

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

6 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.8V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

250 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

3mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

1.4mm

Hauteur

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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€ 10,79

€ 0,054 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 150 mA 100 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 100.

Production -

Disponible en multiples de 100.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

200

Disponible en multiples de 100
200€ 10,79
300€ 16,19
400€ 21,59
500€ 21,12
600€ 25,34
700€ 29,57
800€ 33,79
900€ 38,01
1000€ 39,89
1100€ 43,88
1200€ 47,87
1300€ 51,86
1400€ 55,85
1500€ 59,84
1600€ 63,83

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
200 - 400€ 0,054€ 5,40
500 - 900€ 0,042€ 4,22
1000 - 1900€ 0,04€ 3,99
2000+€ 0,038€ 3,76

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Résistance Drain Source maximum

6 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.8V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

250 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

3mm

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Matériau du transistor

Si

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