MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 360 mA 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 792-0894Marque: NexperiaN° de pièce Mfr: BSS138BK,215
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Nexperia

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

360 mA

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1.6 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.6V

Tension de seuil minimale de la grille

0.48V

Dissipation de puissance maximum

420 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3mm

Charge de Grille type @ Vgs

0,6 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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MOSFET onsemi canal N, SOT-23 320 mA 60 V, 3 broches
MOSFET onsemi canal N, SOT-23 320 mA 60 V, 3 brochesMarque: onsemi
€ 0,037Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)

€ 6,05

€ 0,121 Each (On a Reel of 50) (hors TVA)

MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 360 mA 60 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 50.

Production -

Disponible en multiples de 50.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

50

Disponible en multiples de 50
50€ 6,05
100€ 5,02
150€ 7,54
200€ 10,05
250€ 11,99
300€ 14,39
350€ 16,78
400€ 19,18
450€ 21,58
500€ 22,27
550€ 24,49
600€ 26,72
650€ 28,94
700€ 31,17
750€ 33,40

€ 6,05

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650€ 28,94
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QuantitéPrix unitairePar Bobine
50 - 50€ 0,121€ 6,05
100 - 200€ 0,05€ 2,51
250 - 450€ 0,048€ 2,40
500 - 950€ 0,045€ 2,23
1000+€ 0,035€ 1,77

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MOSFET onsemi canal N, SOT-23 320 mA 60 V, 3 brochesMarque: onsemi
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N

Courant continu de Drain maximum

360 mA

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Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1.6 Ω

Mode de canal

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Tension de seuil minimale de la grille

0.48V

Dissipation de puissance maximum

420 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

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Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3mm

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