MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 360 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
360 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1.6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
420 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,72 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 73,63
€ 0,025 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,025 | € 73,63 |
| 6000 - 12000 | € 0,023 | € 70,13 |
| 15000 - 27000 | € 0,022 | € 66,62 |
| 30000 - 57000 | € 0,022 | € 66,62 |
| 60000+ | € 0,022 | € 66,62 |
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N
Courant continu de Drain maximum
360 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1.6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
420 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,72 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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