MOSFET Nexperia canal N, SOT-323 320 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
320 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
310 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,72 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 5,71
€ 0,057 Each (On a Reel of 100) (hors TVA)
Standard
100
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 0,057 | € 5,71 |
| 200 - 400 | € 0,049 | € 4,91 |
| 500 - 900 | € 0,045 | € 4,45 |
| 1000 - 1900 | € 0,023 | € 2,28 |
| 2000+ | € 0,023 | € 2,28 |
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
310 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,72 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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