MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 180 mA 50 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
180 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
420 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,26 nC @ 5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 62,42
€ 0,021 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
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1.1V
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Single
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±20 V
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1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,26 nC @ 5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
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