Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
180 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
420 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,26 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 9,55
€ 0,048 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
€ 9,55
€ 0,048 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
200
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 400 | € 0,048 | € 4,77 |
| 500+ | € 0,042 | € 4,20 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
180 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
420 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,26 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1mm
Détails du produit


