MOSFET Nexperia canal P, SOT-363 160 mA 50 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
160 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
320 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.35mm
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,26 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 4,65
€ 0,155 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
30
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Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
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Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.35mm
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
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