Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
190 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 0,84
€ 0,168 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 0,84
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
190 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
1mm
Pays d'origine
China
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