MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 190 mA 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 112-5548PMarque: NexperiaN° de pièce Mfr: BST82,215
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Nexperia

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

190 mA

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

10Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

0,83 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Température de fonctionnement minimum

-65 °C

Hauteur

1mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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€ 27,28

€ 0,182 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 190 mA 100 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

150

Disponible en multiples de 5
150€ 27,28
155€ 28,19
160€ 29,09
165€ 30,00
170€ 30,91
175€ 31,82
180€ 32,73
185€ 33,64
190€ 34,55
195€ 35,46
200€ 36,37
205€ 37,28
210€ 38,19
215€ 39,10
220€ 40,00

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180€ 32,73
185€ 33,64
190€ 34,55
195€ 35,46
200€ 36,37
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QuantitéPrix unitairePar Bobine
150 - 245€ 0,182€ 0,91
250 - 495€ 0,17€ 0,85
500 - 1245€ 0,161€ 0,81
1250+€ 0,157€ 0,78

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Nexperia

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

190 mA

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

10Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

0,83 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Température de fonctionnement minimum

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Hauteur

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